3.5 mA 射频放大器

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 工作频率
工作电源电压
工作电源电流
增益
NF—噪声系数
类型
安装风格
封装 / 箱体
技术
P1dB - 压缩点
OIP3 - 三阶截点
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Nisshinbo NJG1112PB1-TE1
Nisshinbo 射频放大器 PDC Dual Band LNA 无库存
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

800 MHz to 1.5 GHz 3.5 mA 18.5 dB 1.6 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Si - 40 C + 85 C NJG1112 Reel

Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 300MHz to 2500MHz SiGe Ultra-Low-Noise A
数据表

300 MHz to 1.5 GHz 2.7 V to 5.5 V 3.5 mA 15.1 dB 0.9 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SOT-23-6 SiGe - 22 dBm - 10 dBm - 40 C + 85 C MAX2640 Reel, Cut Tape, MouseReel

Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 300MHz to 2500MHz SiGe Ultra-Low-Noise A
数据表

1.4 GHz to 2.5 GHz 2.7 V to 5.5 V 3.5 mA 14.4 dB 1.3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SOT-23-6 SiGe - 21 dBm - 4 dBm - 40 C + 85 C MAX2641 Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 LNAs with Step Attenuator and VGA
数据表

100 MHz to 1 GHz 2.775 V 3.5 mA 14.5 dB 1.8 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TQFN-EP-12 Si 19.5 dBm 13 dBm - 40 C + 85 C MAX2371 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 LNAs with Step Attenuator and VGA
数据表

100 MHz to 1 GHz 2.775 V 3.5 mA 15.5 dB 1.8 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TQFN-EP-12 Si 19.5 dBm 13 dBm - 40 C + 85 C MAX2373 Tube

Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 300MHz to 2500MHz SiGe Ultra-Low-Noise A
数据表
更多信息可用

300 MHz to 1.5 GHz 2.7 V to 5.5 V 3.5 mA 15.1 dB 0.9 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SOT-23-6 SiGe - 22 dBm - 10 dBm - 40 C + 125 C MAX2640 Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices / Maxim Integrated 射频放大器 LNAs with Step Attenuator and VGA
数据表

100 MHz to 1 GHz 2.775 V 3.5 mA 15.5 dB 1.8 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TQFN-12 Si 19.5 dBm 13 dBm - 40 C + 85 C MAX2373 Reel