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STMicroelectronics 射频晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz STMicroelectronics SD2933-03W SD2933-03W STMicroelectronics 50: ¥1,276.222 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD2933-03W Mouser 零件编号 511-SD2933-03W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz		无库存交货期 28 周	¥1,276.222	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs				Si						Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor STMicroelectronics STAC1011-500 STAC1011-500 STMicroelectronics 80: ¥1,242.7288 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 STAC1011-500 Mouser 零件编号 511-STAC1011-500	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,242.7288	最低： 80 倍数： 80	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz STMicroelectronics RF3L05200CB4 RF3L05200CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,288.6294 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF3L05200CB4 Mouser 零件编号 511-RF3L05200CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,288.6294	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	Through Hole	LBB-3	LDMOS FET	Si	945 MHz	200 W			16 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz STMicroelectronics RF3L05400CB4 RF3L05400CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,064.9685 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF3L05400CB4 Mouser 零件编号 511-RF3L05400CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,064.9685	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	Through Hole	LBB-3	LDMOS FET	Si	500 MHz	380 W			17 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L08600CB4 RF5L08600CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,479.1248 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF5L08600CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L08600CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	¥1,479.1248	最低： 100 倍数： 100	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Tray
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT STMicroelectronics STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB STMicroelectronics 600: ¥17.289 无库存交货期 14 周 NRND	制造商零件编号 STGWT30HP65FB Mouser 零件编号 511-STGWT30HP65FB NRND	STMicroelectronics	射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT	数据表	无库存交货期 14 周	¥17.289 ¥16.046 ¥14.9725	最低： 600 倍数： 300	RF Bipolar Transistors				Si						Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. PD55008S-E STMicroelectronics 400: ¥75.5179 无库存交货期 23 周	制造商零件编号 PD55008S-E Mouser 零件编号 511-PD55008S-E	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 23 周	¥75.5179 ¥71.8793	最低： 400 倍数： 400	RF MOSFETs	SMD/SMT	PowerSO-10	LDMOS FET	Si	1 GHz	8 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tube
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor RF2L36075CF2 STMicroelectronics 1: ¥1,304.6754 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF2L36075CF2 Mouser 零件编号 511-RF2L36075CF2 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm rfxl transistors 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	剪切带 ¥1,304.6754 ¥1,002.2648 卷轴 ¥1,002.2648 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 120	RF MOSFETs	SMD/SMT	B2-3	LDMOS FET	Si	3.5 GHz	75 W		+ 200 C	12.5 dB	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS STMicroelectronics SD2931-12MR SD2931-12MR STMicroelectronics 50: ¥647.4222 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD2931-12MR Mouser 零件编号 511-SD2931-12MR	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS	数据表	无库存交货期 28 周	¥647.4222	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs			DMOS FET	Si						Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L051K0CB4 RF5L051K0CB4 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L051K0CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L051K0CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L051K5CB4 RF5L051K5CB4 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L051K5CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L051K5CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L052K0CB4 RF5L052K0CB4 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L052K0CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L052K0CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L05500CB4 RF5L05500CB4 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L05500CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L05500CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L05750CF2 RF5L05750CF2 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L05750CF2 Mouser 零件编号 511-RF5L05750CF2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L05950CF2 RF5L05950CF2 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 RF5L05950CF2 Mouser 零件编号 511-RF5L05950CF2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 .500 DIA 4-L W/FLG STMicroelectronics SD2931-14 SD2931-14 STMicroelectronics 受限供货情况	制造商零件编号 SD2931-14 Mouser 零件编号 511-SD2931-14	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 .500 DIA 4-L W/FLG				受限供货情况	RF MOSFETs				Si						Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor STMicroelectronics RF5L051K4CB4 RF5L051K4CB4 STMicroelectronics 受限供货情况 NRND	制造商零件编号 RF5L051K4CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L051K4CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor	数据表			受限供货情况	RF MOSFETs			LDMOS FET	Si						Tray

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