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Texas Instruments
CSD86356Q5D同步降压NexFET电源块 - TI
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Texas Instruments CSD86356Q5D同步降压NexFET电源块
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Texas Instruments CSD86356Q5D同步降压NexFET™电源块提供高电流、高效率和高频性能,采用小型封装。CSD86356Q5D是一个经过优化的设计,用于同步降压和5V栅极驱动应用。该器件在25A时的系统效率为93%。CSD86356Q5D是一套灵活的解决方案,结合外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动时能够提供高密度电源。
特性
半桥电源块
系统效率:93.0%(25A时)
工作电流高达40A
高频工作(高达1.5MHz)
高密度SON 5mm×6mm占位尺寸
针对5V栅极驱动进行优化
低切换损失
超低电感封装
符合RoHS指令
无卤素
端子无铅电镀
应用
同步降压转换器
高频应用
大电流、低占空比应用
多相同步降压转换器
POL DC-DC转换器
IMVP、VRM和VRD应用
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Texas Instruments
发布日期: 2018-07-18 | 更新日期: 2022-12-29