特性
- 低温共烧陶瓷构造
- 通过阻抗转换支持平衡到不平衡的信号转换
- 紧凑的单片结构适合RF前端设计
- 符合 RoHS 要求
应用
- LTE - FBN2009N185D6
- IoT/LTE - FBN2009N090D6
- Gps - FBN2009N230D6
- 5G - FBN1606N360D6
规范
- 常用
- 不平衡端口阻抗:50Ω
- 最大功率容量:3W
- 通过200V ESD分类 (MM)
- 通过1kV所有引脚上的ESD分类 (HBM)
- 工作温度范围:-40°C至+85°C
- FBN2009N185D6
- 频率范围:1700 MHz至2000 MHz
- 最大插入损耗:1 dB至1.2 dB
- 平衡端口阻抗:100Ω
- FBN2009N090D6
- 频率范围:800 MHz至1000 MHz
- 最大插入损耗:1.3 dB至1.6 dB
- 平衡端口阻抗:50Ω
- FBN2009N230D6
- 频率范围:1500 MHz至3100 MHz
- 最大插入损耗:1 dB至1.2 dB
- 平衡端口阻抗:100Ω
- FBN1606N360D6
- 频率范围:3300 MHz至3900 MHz
- 最大插入损耗:1 dB至1.2 dB
- 平衡端口阻抗:100Ω
发布日期: 2026-08-04
| 更新日期: 2026-08-06

