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Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管是一款低电容器件，专为保护高速差分线路而设计。该TVS二极管具有出色的ESD保护功能，例如低峰值ESD钳位电压和高ESD耐受电压（符合IEC 61000-4-2标准的+/-20kV触点）。D3V3ZF1BD2CSP TVS二极管具有高峰值脉冲电流能力（10.5A，tP=8/20µs）和极低钳位电压，可保护敏感的I/O。这款TVS 二极管采用小型DSN封装，尺寸为0.60mm x 0.30mm x 0.30mm 。典型应用包括USB3.0、USB3.1、USB3.2 Gen 2x2、USB Type-C®、HDMI™ 1.4、HDMI™ 2.0、HDMI™ 2.1、Thunderbolt™ 2、Thunderbolt™ 3以及10G以太网。

特性

  • 为受保护线路提供瞬态保护：
    • IEC 61000-4-2（ESD）：空气放电±20kV，接触放电±20V
    • IEC 61000-4-5（浪涌）：10.5A（8/20µs）
  • 单线双向ESD保护
  • 钳位电压极低，可保护敏感I/O
  • 完全无铅
  • 不含卤素和锑。“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用（即符合AEC-Q100/101/104/200标准、具备PPAP能力、并在通过IATF 16949认证工厂中生产的器件）

应用

  • USB3.0、USB3.1和USB3.2 Gen 2 x 2
  • USB Type-C®
  • HDMI™ 1.4、HDMI™ 2.0和HDMI™ 2.1
  • Thunderbolt™ 2和Thunderbolt™ 3
  • 10G以太网
  • Wi-Fi® 6天线
     

规范

  • 反向关断电压（VRWM）：3.3V
  • 通道输入电容：0.23pF（典型值）
  • 峰值脉冲功耗：55W（8/20μs）
  • 峰值脉冲电流：10.5A（8/20μs）
  • 通道漏电流：50nA（VRWM = 3.3V时）
  • 工作温度范围：-55 °C至+150 °C

器件原理图

原理图 - Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管

尺寸图

机械图纸 - Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管

其他资源

发布日期: 2026-06-11 | 更新日期: 2026-06-23