Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ N沟道增强模式MOSFET是一款40V汽车级 MOSFET，在10V栅极驱动下具有0.54mΩ（典型值）的RDS(ON)，栅极电荷为117nC。DMTH4M70SPGWQ采用PowerDI®8080-5创新大电流、高效散热电源封装，非常适合用于电动汽车 (EV) 应用。符合AEC-Q101标准的Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ MOSFET有助于汽车大功率BLDC电机驱动器、直流-直流转换器和充电系统的设计人员最大限度地提高系统效率，同时保证将功耗保持在绝对最低。该器件的工作温度高达+175°C。
特性
- Rated to +175°C, ideal for high ambient temperature environments
- 100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保更加可靠而稳健的终端应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)，最大限度地降低功率损耗
- 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
- 开关速度快
- 低输入电容
- 无铅涂层，符合RoHS指令
- 无卤、无锑的绿色器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，在通过IATF 16949认证的工厂中制造
应用
- 发动机管理系统
- 车身控制电子产品
- DC-DC转换器
封装类型
视频
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| DMTH4M70SPGWQ-13 |  |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI8080-5 T&R 2K |
| DMTH4M40SPGWQ-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI8080-5 T&R 2K | |
| DMTH81M2SPGWQ-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI8080-5 T&R 2K | |
| DMTH4M72SPGWQ-13 | |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI8080-5 T&R 2K |
| DMTH6M70SPGWQ-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI8080-5 T&R 2K | |
| DMTH10H1M7SPGWQ-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI8080-5 T&R 2K |
发布日期: 2022-06-02
| 更新日期: 2026-03-27