IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET是一款工业级单开关SiC MOSFET,具有良好的功率循环特性和非常快速、低损耗的开关特性。该MOSFET采用超快本征二极管设计,最大虚拟结温可达175°C。 IXSH40N120L2KHV MOSFET具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等特点。IXSH40N120L2KHV MOSFET用于开关模式电源、太阳能逆变器、UPS、电机驱动器、直流/直流转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热应用。

特性

  • SiC MOSFET技术
  • 1200V,低RDS(on)为80mΩ
  • 漏极电流:41A (ID)
  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 高速开关,低电容
  • 最高虚拟结温:175°C
  • 超快本征二极管
  • Kelvin源触点
  • MSL-1防护等级
  • 符合RoHS标准

应用

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 直流/直流转换器
  • 电动汽车充电基础设施
  • 感应加热

尺寸图纸(TO-247-4L)

机械图纸 - IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
发布日期: 2025-02-14 | 更新日期: 2026-08-20