IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET是一款工业级单开关SiC MOSFET,具有良好的功率循环特性和非常快速、低损耗的开关特性。该MOSFET采用超快本征二极管设计,最大虚拟结温可达175°C。 IXSH40N120L2KHV MOSFET具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等特点。IXSH40N120L2KHV MOSFET用于开关模式电源、太阳能逆变器、UPS、电机驱动器、直流/直流转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热应用。
特性
- SiC MOSFET技术
- 1200V,低RDS(on)为80mΩ
- 漏极电流:41A (ID)
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关,低电容
- 最高虚拟结温:175°C
- 超快本征二极管
- Kelvin源触点
- MSL-1防护等级
- 符合RoHS标准
相关SiC MOSFET
1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET,推荐用于工业开关电源。
适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
1200V、30mΩ和79A MOSFET,建议用于工业开关模式电源。
1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET,推荐用于工业开关电源。
1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET,推荐用于工业开关电源。
1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET,推荐用于工业开关电源。
发布日期: 2025-02-14
| 更新日期: 2026-08-20