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碳化硅 (SiC) 器件 - IXYS
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IXYS碳化硅 (SiC) 器件非常适合用于需要提高效率、可靠性和热管理的应用。IXYS/Littelfuse致力于开发最可靠的碳化硅半导体器件。
特性
2500V隔离电压(通过UL认证)
低热阻
高功率循环能力
减少寄生电感和电容
允许配置模块电路
半桥配置
串联和共阳极FRED
采用串联肖特基二极管的MOSFET
替代多个分立元件
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发布日期: 2019-10-25 | 更新日期: 2026-04-24