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Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET

Nexperia PSMN047-100NSE N沟道专用MOSFET (ASFET) 有助于实现以太网供电 (PoE) 系统，该系统能够为每个受电设备 (PD) 提供高达90W的功率。这些解决方案对供电设备 (PSE) 在“软启动”、热管理和功率密度要求方面提出了更高的要求。100V、53mΩ PSMN047-100NSE ASFET采用紧凑型2mm x 2mm占位面积，结合了增强的SOA，非常适合各种应用，包括PoE、eFuse和继电器替换。 

特性

  • 增强型安全工作区 (SOA)，可实现出色的线性模式运行
  • 低RDSon，实现低I2R导通损耗
  • 超低IDSS漏电流
  • 节省空间的塑料2mm x 2mm x 0.65mm DFN2020封装，比LFPAK33封装小60%
  • 符合RoHS指令

应用

  • 大功率PoE应用（60W及更高版本）
  • IEEE802.3at和专有PoE解决方案
  • 故障容限负载开关（浪涌管理和电子保险丝应用）
  • 电池管理应用
  • 继电器替代品
  • WIFI热点
  • 5G微微蜂窝
  • 闭路电视

规范

  • 漏极-源极电压：100V（最大值）
  • 漏极电流：18.4A（最大值）
  • 总功耗：42W（最大值）
  • 源极-漏极二极管恢复电荷：22.3nC（典型值）
  • 最大非重复漏极-源极雪崩能量：13.8mJ
  • 结温范围：-55 °C至+175 °C
发布日期: 2024-03-19 | 更新日期: 2024-04-04