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NXP Semiconductors
A5G38H045N评估板 - NXP Semiconductors
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NXP Semiconductors A5G38H045N评估板
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NXP Semiconductors A5G38H045N评估板与A5G38H045N射频MOSFET晶体管配合使用。该板设计用于64T、200W无线电单元(每个天线5W平均功率)。其目标频段为B77D,是用于美国C频段市场64T mMIMO的 GaN分立式解决方案。
特性
48V GaN分立式晶体管
(9.5 dB OBO)
37.3dBm(平均值,5W)
增益:15dB
漏极效率 (Doherty) :51%
3700-3980MHz
峰值:46.8dBm (48W)
DFN 7 x 6.5包覆成型塑料封装
非对称– 2:1,输入和输出预匹配
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NXP Semiconductors
发布日期: 2022-04-26 | 更新日期: 2023-01-11