onsemi NTBL016N065M3S EliteSiC MOSFET
安森美 (onsemi) NTBL016N065M3S EliteSiC MOSFET具有16mΩ的极低导通电阻（VGS = 18V时）和104nC的超低栅极电荷。该MOSFET漏-源额定电压为650V，漏极电流可达103A（25°C时）。NTBL016N065M3S MOSFET已100%通过雪崩测试，可工作在-55°C至+175°C宽温度范围内。该MOSFET无铅、无卤化物，采用表面贴装H-PSOF8L封装。典型应用包括开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能，以及EV充电基础设施。
特性
- 典型RDS(ON)：16mΩ（VGS = 18V时）
- 超低栅极电荷（QG(tot)）：104nC
- 低电容高速开关（Coss = 195pF）
- 100% 经雪崩测试
- 不含卤素
- 符合RoHS指令（7a豁免）
- 2LI（第二层互连上）无铅
应用
- 开关模式电源(SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 储能
- EV充电基础设施
规范
- 650V漏-源电压额定值
- 漏极连续电流：
- 25°C时103A
- 100 °C时74A
- 单脉冲雪崩能量：135mJ（ILPK = 52A、L = 0.1mH、IAS = 52A、VDD = 100V、VGS = 18V）
- 耗散功率：
- 25°C时为416W
- 208W（100 °C时）
- -55°C至+175°C工作温度范围
尺寸图
发布日期: 2026-06-03
| 更新日期: 2026-06-30