onsemi NTHL012N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTHL012N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET是一款EliteSiC® 650V M3S平面 MOSFET，专为快速开关电源应用而优化。该器件具有低导通电阻和低开关损耗，可在紧凑型、高性能设计中实现高效功率转换。NTHL012N065M3S采用了平面型碳化硅 (SiC) 技术，该技术设计用于在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰下可靠运行。该SiC MOSFET可在18V栅极驱动电压下提供最佳性能，同时也支持15V栅极驱动电压，以实现设计灵活性。
安森美 (onsemi) NTHL012N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET非常适合用于开关电源、太阳能逆变器、不间断电源、储能系统和电动汽车 (EV) 充电基础设施。NTHL012N065M3S采用TO-247-3L封装，支持高结温运行，适用于要求苛刻的电力电子设备应用。
特性
- EliteSiC 650V M3S平面型碳化硅 (SiC) MOSFET技术，适用于快速开关应用
- 采用平面型技术，可在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰电压下可靠工作
- 采用18V栅极驱动电压可实现优化性能，采用15V栅极驱动电压则可实现强劲性能。
- 采用新型M3S技术，可实现低EON和EOFF开关损耗
- 低输出电容，适用于高速开关应用
- 极低的栅极电荷总数，可实现高效的开关操作
- 100%雪崩测试器件
- 无卤、符合RoHS标准（豁免条款7a）
- 二级互连无铅2LI
应用
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 储能系统
- 电动汽车 (EV) 充电基础设施
规范
- 漏源电压：650V
- 典型RDS(ON)为12.2mΩ（VGS= 18V时）
- TC = 25°C时的最大漏极电流为123A
- TC = 100°C时的漏极连续电流为87A
- 总计栅极电荷为135nC（典型值）
- 输出电容为281pF（典型值）
- 动态栅源电压范围：-10V至+22.6V
- 推荐工作栅源电压范围：-3V至+18V
- 单脉冲雪崩能量：259mJ
- 结至壳热阻：0.35°C/W
- 工作结温和存放温度范围：-55°C至+175°C
- TO-247-3L封装
封装样式
热响应特性
发布日期: 2026-07-09
| 更新日期: 2026-07-14