Vishay / Thin Film IGBR薄膜电阻器

Vishay / Thin Film IGBR电阻器是经AEC-Q200认证的高功率背接触电阻器,专为SiC、GaN和IGBT功率模块而设计。 该系列电阻器利用硅材料的优异热性能,在微型封装尺寸内实现超高功率额定值,适用于混合组装。IGBR电阻器仅需单根引线键合,可节省混合组装空间,同时有助于减少或消除SiC功率模块中的噪声。该系列薄膜电阻器支持高达200°C的工作温度,可选烧结、焊接或环氧树脂贴装方式。典型应用包括汽车电气化、工业HVAC系统、替代能源设备、MRI系统、LED照明、数据服务器及其他高功率混合组装。

特性

  • 符合 AEC-Q200
  • Vishay Electro-Films(EFI)技术
  • 用于SiC功率模块时可降低或消除噪声
  • 可选烧结、焊接和环氧树脂贴装方式
  • 设计工作温度高达200°C
  • 单一引线接合组装
  • 防潮
  • 外壳尺寸:0202至0808
  • 无铅、无卤
  • 符合RoHS指令

应用

  • 适用于SiC、GaN和IGBT功率模块的均流电阻器
  • 汽车电气化
  • 大功率MRI
  • 工业HVAC
  • 替代能源
  • LED照明
  • 混合组件
  • 数据管理服务器

原理图

原理图 - Vishay / Thin Film IGBR薄膜电阻器

功率降额曲线

性能图表 - Vishay / Thin Film IGBR薄膜电阻器
发布日期: 2026-08-07 | 更新日期: 2026-08-11