新款栅极驱动器

Renesas/Dialog GaN 240W EPR解决方案提供高功率密度 交流/直流解决方案,支持在宽Vin/Vout 范围内提供高达500W输出功率。这些设备是用于3W/cc功率密度设计的交错PFC + HWLLC组合控制器。GaN 240W EPR解决方案具有96.5%的峰值效率,智能数字2阶控制可优化效率、EMI和可听噪声。在未连接负载的情况下,这些设备提供<41mW、高效能的解决方案,符合全球能效法规。GaN 240W EPR解决方案支持高功率USB PD 3.2 240W,并且与 Winning Combo EBC10293中的Renesas PD源控制器无缝协作。典型应用包括USB PD适配器、快速充电适配器、 LED驱动器、壁式插座、TV电源 、电动工具、割草机、音频/智能音箱、工业电源和工厂自动化。
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Renesas Electronics GaN 240W EPR解决方案提供高功率密度交流/直流解决方案,支持在宽Vin/Vout范围内提供高达500W输出。2026/7/7 -
onsemi NCV84003G高侧电子保险丝该设备可以替代机械保险丝,并在智能电源分配架构中提供电源。2026/6/25 -
STMicroelectronics L98GD8E 8通道MOSFET预驱动器该设备可配置为低侧、高侧、峰值和保持以及H桥负载控制。2026/5/29 -
RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案提供适用于能源、工业和医疗应用的理想元器件。2026/4/24 -
RECOM Power RVP Primary-Side Power ICsSupports input voltages up to 30V and is available in various topologies to meet system needs.2026/4/1 -
onsemi FAD1100-F085点火栅极驱动器IC直接驱动点火IGBT,并调节线圈电流和产生的火花事件。2026/3/3 -
Microchip Technology MCP14T0517推挽变压器驱动器设计用于紧凑型隔离式电源,由3VDC至5.5VDC输入工作。2026/2/2 -
Texas Instruments UCC2773x/-Q1半桥栅极驱动器提供3.5A拉电流和4A灌电流能力,设计用于驱动功率MOSFET和IGBT。2026/1/29 -
onsemi NCV84003F单通道高侧驱动器该器件用于开关各种负载,例如灯泡、螺线管和其他执行器。2026/1/22 -
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1低侧栅极驱动器此系列器件可有效驱动MOSFET、IGBT及SiC功率开关。2025/12/24 -
STMicroelectronics STDRIVEG612 600 V半桥栅极驱动器一款半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。2025/12/19 -
STMicroelectronics STDRIVEG212 220 V半桥栅极驱动器一款半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。2025/12/19 -
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 栅极驱动器设计用于需要快速响应和大电流能力的开关应用。2025/11/19 -
Toshiba TB9084FTG汽车级栅极驱动器集成电路设计用于汽车无刷电机,配备充电泵和几种类型的电路。2025/11/19 -
STMicroelectronics STSID140-12 SMD隔离晶闸管驱动器专为工业和消费电子应用中的电力晶闸管提供强大、高效的触发功能而设计。2025/10/28 -
Texas Instruments UCC27212A-Q1栅极驱动器一款车规级驱动器,设计用于在各类应用中实现高效率和稳健性能。2025/10/9 -
Texas Instruments UCC21351x-Q1 栅极驱动器让各种电源应用能有高效率、大功率密度和高鲁棒性。2025/10/9 -
Infineon Technologies EiceDRIVER 1ED301xMC12I栅极驱动器IC适用于IGBT、Si或SiC MOSFET的光电兼容、电气隔离单通道栅极驱动器。2025/9/30 -
Texas Instruments LMG3626 700 V 220 mΩ GaN FET将栅极驱动器、保护和电流检测功能整合在单个8mm x 5.3mm QFN封装中。2025/9/29 -
Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥它简化了设计、减少了元器件数量,并节省了电路板空间,采用6mm x 8mm QFN封装。2025/9/9 -
IXYS IX4352NEAU低侧栅极驱动器专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。2025/9/4 -
STMicroelectronics STDRIVEG210半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可以承受高达220V电压轨。2025/8/28 -
STMicroelectronics STDRIVEG211半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可以承受高达220V电压轨。2025/8/28 -
STMicroelectronics L98GD8汽车MOSFET预驱动器可配置为低侧、高侧、峰值和保持以及H桥负载控制。2025/8/18 -
EPC EPC23102 100V 35A ePower™ Stage ICCombines core blocks and eGaN® output FETs into a single monolithic IC in a 3.5mm x 5mm QFN package.2025/8/1 -
