Renesas Electronics 异步SRAM

异步SRAM（也称为异步静态随机存取存储器）使用静态方法存储数据，只要向器件供电，数据就会保持不变。这种方法与DRAM（动态RAM）不同，DRAM需要不断刷新存储在存储器中的数据。

由于异步SRAM静态存储数据，因此比DRAM更快，功耗更低。另一方面，SRAM使用更复杂的电路拓扑结构构建，因此比DRAM密度更低，制造成本更高。因此，DRAM通常用作个人电脑的主存储器。相比之下，异步SRAM通常用于较小的存储器应用，如CPU高速缓冲存储器、驱动缓冲器、网络设备、消费类电子产品和家用电器。同步SRAM使用时钟进行读写，而异步信号通常控制异步SRAM。

选择异步SRAM的关键参数包括：

密度：这是异步SRAM在其存储器中可保存的位数。Renesas提供容量最高达4MB的产品。
总线宽度：用于对存储器进行读取和写入的“通道”数量。Renesas提供8位和16位两种选项。
内核电压：用于为异步SRAM供电的电源电压。这通常由系统中可用的电源轨决定，并且通常会对读取和写入存储器所需的I/O电压产生影响。Renesas提供标准5V和3.3V选项。
I/O电压：用于数据输入和输出的电压；对于某些设备，该电压与内核电压相互独立。
存取时间：从存储器读取或写入所需的时间。理想情况下，异步SRAM的存取时间应足够快，以跟上CPU的速度。否则，CPU将浪费一定数量的时钟周期，从而使其速度变慢。瑞萨电子提供的存取时间最快可达10ns。