ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC
ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子系统。这些IC将高功率密度和效率完美结合。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT功率级IC非常适用于工业设备、电源、桥式拓扑和适配器等应用。
特性
- 毫微电容集成输出可选5V LDO
- 为工业应用提供长期支持产品
- VDD引脚具有宽工作电压范围
- IN引脚电压的宽工作范围
- 低VDD静态电流、低工作电流
- 低传播延迟
- 高dv/dt抗噪性
- 可调栅极驱动器强度
- 电源良好信号输出
- VDD UVLO保护
- 热关断保护
应用
- 工业设备
- 电源与大功率密度
- 高效需求
- 桥式拓扑，如图腾柱PFC等
- LLC电源
- 适配器
视频
典型应用电路
开发工具
ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级评估板
用于评估650V氮化镓HEMT功率级IC。
ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 评估套件
紧凑高效的平台，设计用于评估 BM3G005MUV 650V GaN功率级IC。
信息图
发布日期: 2023-07-19
| 更新日期: 2025-05-20