返回ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor BD58020GW电子保险丝保护IC

ROHM Semiconductor BD58020GW电子保险丝保护IC是一款过压、过流及过热保护IC。BD58020GW内置导通电阻低至16mΩ（典型值）的N沟道FET，可在发生故障时立即防止下游元件受损。ROHM Semiconductor BD58020GW还具有用于两个外部NTC热敏电阻的温度保护功能，可监测应用中的两个不同位置。过压和过流阈值可通过外部或内部固定电阻设置。

特性

  • 通过外部电阻实现可编程过压保护
  • 通过外部电阻实现可编程过流限制
  • 超快速过压响应时间：50ns（典型值）
  • 内置16mΩ NMOS FET
  • 过热保护，支持通过NTC实现两路不同温度监测
  • 可编程欠压检测
  • 双向I/O，用于提供温度故障状态
  • 支持VOUT主动放电
  • 支持电池模式
  • 支持USB On The Go（OTG）

应用

  • 智能家居电器
  • 插头适配器或电池应用
  • 便携式设备

规范

  • 输入电压范围：3.0V至28V（启动时为3.6V）
  • 电池电压范围：2.7V至5.5V
  • 最大连续电流：5.0A（典型值）
  • N沟道FET导通电阻：16mΩ（典型值）
  • OVP响应时间：50ns（典型值）
  • 静态电流：128μA（典型值）/200μA（最大值）
  • 低Iq模式/VBAT电流：2.77μA（典型值）
  • 工作结温范围：-40°C至+125°C
  • 封装：UCSP55M1C（16引脚），0.4mm间距，1.7mm x 1.7mm x 0.62mm（W（典型值）x D（典型值）x H（最大值））

典型应用电路

应用电路图 - ROHM Semiconductor BD58020GW电子保险丝保护IC

方框图

框图 - ROHM Semiconductor BD58020GW电子保险丝保护IC
发布日期: 2026-09-25 | 更新日期: 2026-10-02