ROHM Semiconductor RESDxVx ESD保护二极管
ROHM Semiconductor RESDxVx ESD 保护二极管专为汽车、工业和消费电子应用中的高速数据通信接口而设计，即使数据传输速率超过10Gbps也适用。这些二极管将超低电容与低动态电阻相结合，最大限度地减少信号衰减，同时为集成电路提供强大的保护。RESDxVx ESD二极管的超终端电容为0.24pF,动态电阻为0.28Ω，以及比传统解决方案低40%的钳位电压。这些ESD二极管通过AEC-Q101认证，适用于ADAS和ECU等汽车系统。
RESDxVx ESD二极管适用于高密度电路板设计，采用紧凑型DFN1006-2W和DSN0603-2J封装。典型应用包括AI服务器和数据中心、5G/6G基站、通信基础设施、路由器、游戏机、智能手机、平板电脑、USB、HDMI和PCIe接口保护以及ADAS。
特性
- 超终端电容（0.24pF典型值，双向）
- 0.28Ω低动态电阻
- 钳位电压降低（比传统产品低约40%）
- 支持超过10Gbps的高速接口
- 最大限度地减少高速传输中的信号衰减
- 解决了电容与电阻之间的权衡
- 保护敏感IC免受ESD和EOS的影响
- 可提供符合AEC-Q101标准的选项
- 紧凑型DFN1006-2W和DSN0603-2J封装
- 适用于高密度电路板设计
应用
- AI服务器和数据中心
- 5G/6G基站和通信基础设施
- 路由器和光收发器
- 个人电脑、笔记本电脑和游戏机
- 智能手机和平板电脑
- USB、HDMI和PCIe接口保护
- 汽车ADAS和自动驾驶系统
- 车载摄像头和信息娱乐系统
内部电路图
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| 物料编号 | 数据表 | 击穿电压 | Cd - 二极管电容 | 钳位电压 | 极性 | Vesd - 静电放电电压触点 | Vesd - 静电放电电压气隙 | 工作电压 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RESD3V3BAEDB15R |  |
8 V | 300 fF | 9 V | Bidirectional | 13 kV | 15 kV | 3.3 V |
| RESD5V0BASAFHT2RB | |
8 V | 330 fF | 7 V | Bidirectional | 13 kV | 15 kV | 5 V |
| RESD3V3BASAFHT2RB | |
8 V | 330 fF | 7 V | Bidirectional | 13 kV | 15 kV | 3.3 V |
| RESD3V3UASAFHT2RB | |
7.5 V | 530 fF | 4 V | Unidirectional | 13 kV | 15 kV | 3.3 V |
| RESD3V3UCEDB15R | |
5.3 V | 710 fF | 4.5 V | Bidirectional | 12 kV | 14 kV | 3.3 V |
| RESD3V6UCEDB15R | |
5.3 V | 710 fF | 4.5 V | Bidirectional | 12 kV | 14 kV | 3.6 V |
| RESD5V0BAEDB15R | |
8 V | 300 fF | 9 V | Bidirectional | 13 kV | 15 kV | 5 V |
| RESD5V0UASAFHT2RB | |
7.5 V | 530 fF | 4 V | Unidirectional | 13 kV | 15 kV | 5 V |
发布日期: 2026-05-21
| 更新日期: 2026-05-26