ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET通过了AEC-Q101汽车应用认证，包括信息娱乐、照明、ADAS和车身。该器件提供-40V漏极-源极电压和 ±40A连续漏极电流。ROHM RH7G04CBJFRA MOSFET采用DFN-8封装。
特性
- 可湿性侧翼产品：
- 符合 AEC-Q101
- 100% 经雪崩测试
- DFN-8封装
应用
- ADAS
- 信息娱乐
- 照明
- 车身
规范
- -40 V漏源电压
- 17.7mΩ静态漏极-源极导通电阻
- ±40A连续漏极电流
- 62W功率耗散
典型应用
测量电路
发布日期: 2025-03-03
| 更新日期: 2025-03-13