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ROHM Semiconductor
RTF016N05FRA小信号MOSFET - ROHM
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ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET
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ROHM Semiconductor RTF016N05FRA小信号MOSFET具有低导通电阻、内置G-S保护二极管,采用无铅电镀。该MOSFET采用TUMT3小型表面贴装封装,符合AEC-Q101标准。RTF016N05FRA MOSFET具有45V漏极-源极电压、±1.6A连续漏极电流以及±6.4A脉冲漏极电流。该MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至150°C。RTF016N05FRA小信号MOSFET非常适合用于开关。
特性
低导通电阻
内置G-S保护二极管
TUMT3小型表面贴装封装
引脚无铅电镀
符合RoHS指令
符合AEC-Q101标准
规范
漏极-源极电压:45V
连续漏极电流:±1.6A
脉冲漏极电流:±6.4A
工作结温范围:-55°C至150°C
功耗:0.8W
最大导通电阻:190mΩ
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ROHM Semiconductor
发布日期: 2021-02-16 | 更新日期: 2022-03-11