STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET专为汽车市场设计，可提供高压和稳健性。此MOSFET由PowerMESH™技术构成；器件结合了非常高的1500V漏源电压额定值和低栅极电荷以及强大的雪崩能力。STH4N150-2AG MOSFET是汽车级器件，符合AEC-Q101标准，并采用H2PAK-2封装。该器件适用于高压、汽车、辅助和开关应用。
特性
- 符合 AEC-Q101
- 非常低栅极电荷1500V
- 100% 经雪崩测试
- 最大RDS(ON)：10Ω
- 漏极电流（ID）：2.6A
- 栅源电压：±30V
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至+150°C
应用
- 开关要求
- 辅助设备
尺寸
发布日期: 2026-07-31
| 更新日期: 2026-08-10