Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET是一款单片、匹配对的分立式JFET，旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。该器件由两个N沟道JFET组成，它们集成于单个裸片上，旨在实现优异的匹配性能。每个JFET的栅极均由集成二极管偏置，该二极管允许将信号源直接耦合到栅极，而无需偏置电阻器。如果使用分立式电阻器进行栅极偏置，JFE2325可实现的输入阻抗 (>400GOhm) 要高得多。>Ω此外，JFE2325具有每个JFET 0.85pF的超低输入电容，可最大限度地提高具有极低输出电容的传感器信号电平。
当配置为以385µA的全漏极电流运行时，每个JFET能够实现0.7mS的跨导。JFET可单独使用，也可并联使用，以获得更高的跨导和更低的噪声。Texas Instruments JFE2325可以承受高达30V的栅漏电压。额定温度范围为-40°C至+125°C。
特性
- 单片、匹配对的N沟道JFET
- 自偏置栅极，输入阻抗高 (>400GΩ)
- 每个JFET 0.85pF的低输入电容
- 输入电容为5pF时，低噪声为-110dBV (A-wt.)
- 低VGS失配：30mV（最大值）
- 低IDSS失配：5%（最大值）
- 30V高栅漏击穿电压
- 极小封装：0.8mm × 1mm X2SON
应用
- 驻极体电容式麦克风 (ECM)
- MEMS麦克风
- 加速度计
- 热释电红外线 (PIR) 传感器
- 光电二极管放大器
简化示图
应用电路
发布日期: 2026-09-03
| 更新日期: 2026-09-09