TI TDEL3G511/-Q1元件采用预配置数字时序,无需外部定时元件。施密特触发输入可改善信号处理能力,而I/O钳位二极管可防止过压和欠压瞬态。TDEL3G511-Q1通过AEC-Q100汽车级认证。
特性
- TDEL3G511-Q1通过AEC-Q100汽车级认证
- 器件温度等级1,环境工作温度为-40°C至+125°C
- HBM ESD分类等级:2级
- CDM ESD分类等级:C4B级
- 三个独立的上升沿延迟通道
- 上升沿延迟,带最低下降沿延迟
- 内置预配置数字时序,无需外接定时元件
- 所有输入均采用施密特触发架构
- 用于过压和欠压瞬态保护的I/O钳位二极管
- 推挽输出
- 三个通道共享的振荡器和控制逻辑
应用
- 延迟信号的上升沿
- 延长短暂的低电平有效脉冲
- 滤除短暂的高电平有效脉冲
- 消除低电平有效信号的抖动
规范
- 三个延迟通道
- 固定延迟时间约为100ms
- 典型延迟变化:1%
- 最大延迟变化:10%
- 电源电压范围:1.65 V至5.5 V
- 电源电流:3 µA(典型值)
- 最大输出驱动电流
- 低电平输出电流:12mA
- 高电平输出电流:-12mA
- 最大连续数字输出电流:±20mA
- 最大脉冲数字输出电流:±100mA,持续1µs
- VCC或GND引脚的最大连续电流:±60mA
- 三个施密特触发输入
- 三个推挽输出
- 8引脚SOT-5X3封装
- 封装尺寸:2.1 mm x 1.6 mm
数据手册
引脚分配图
功能框图
发布日期: 2026-09-14
| 更新日期: 2026-09-17

