Texas Instruments TMCS1170霍尔效应电流传感器

Texas Instruments TMCS1170霍尔效应电流传感器采用紧凑型QFN封装,具有电气隔离的AC和DC测量功能。TI通过采用差分霍尔传感器、集成屏蔽和无芯结构,有效抑制外部磁场干扰。器件内部集成低电阻导体,可支持大连续电流测量,同时最大限度地降低功率损耗和热耗散。

Texas Instruments TMCS1170传感器提供固定灵敏度的比例模拟输出,并集成漂移补偿和过流检测功能。器件提供多种灵敏度和参考电压选项,支持双向和单向电流测量,无需额外进行系统级校准。凭借紧凑的解决方案尺寸和出色的环境磁场抗干扰能力,这些传感器非常适合用于机器人、电机控制、太阳能系统、电源和过流保护等应用。

特性

  • 基于霍尔效应的电气隔离电流检测
  • 提供双向和单向电流检测选项
  • 无磁芯设计,无需外部磁集中器
  • 用于抑制外部磁场的差分霍尔传感器
  • 集成屏蔽功能,用于共模抑制和瞬态抗扰
  • 内置漂移补偿,可在不同温度和整个使用寿命期间保持测量稳定性
  • 固定灵敏度,可消除比率测量误差并提高电源噪声抑制能力
  • 集成过流检测功能,并提供专用故障输出
  • 低电阻内部导体,可降低功率损耗
  • 紧凑尺寸下支持大连续电流测量
  • 提供多种灵敏度和参考电压配置
  • 无需进行系统级校准

应用

  • 机器人技术
  • 电机控制
  • 太阳能
  • 电源
  • 过流保护

规范

  • 功能隔离电压:±100V
  • 连续电流能力:60ARMS
  • 内部导体电阻:0.6mΩ
  • 信号带宽:285kHz
  • 输出传播延迟:300ns
  • 过流检测响应时间:1.3µs
  • 电源电压范围为3V至5.5V
  • 典型灵敏度误差:±1%
  • 在25°C至+125°C温度范围内,最大灵敏度误差为±2.85%
  • 在25°C至+125°C温度范围内,最大失调误差为±15mV
  • 寿命期间最大失调漂移:±20mV
  • 寿命期间灵敏度变化小于3%
  • 灵敏度范围:26.4mV/A至200mV/A
  • 工作温度选项
    • -40°C至+125°C温度等级1器件
    • -40°C至+150°C温度等级0器件
  • 器件配置
    • 双向1.65V基准电压选项
      • 132mV/A灵敏度,±10A线性范围
      • 90mV/A灵敏度,±14.7A线性范围
      • 44mV/A灵敏度,±30A线性范围
      • 26.4mV/A灵敏度,±50A线性范围
    • 双向2.5V基准电压选项
      • 200mV/A灵敏度,±10A线性范围
      • 100mV/A灵敏度,±20A线性范围
      • 66mV/A灵敏度,±30A线性范围
      • 40mV/A灵敏度,±50A线性范围
    • 单向0.5V基准电压选项
      • 80mV/A灵敏度,50A线性范围
  • 12引脚VQFN封装
  • 封装尺寸:3 mm x 3 mm

典型应用

应用电路图 - Texas Instruments TMCS1170霍尔效应电流传感器

功能框图

框图 - Texas Instruments TMCS1170霍尔效应电流传感器
发布日期: 2026-09-14 | 更新日期: 2026-09-18