该SiC MOSFET的RDS(on)值低至30mΩ,额定电流高达69A,结温最高可达+175°C,有多种封装选项,因此非常适合高性能电力电子设计。宽爬电距离和间隙距离提高了安全性和可靠性,而高速开关有助于减小电感器、电容器、滤波器和变压器的大小。这些MOSFET非常适合辅助电源、开关电源(SMPS)、电源逆变器、基于1500V的系统、高压DC/DC转换器、电机驱动器和脉冲电源应用,这些应用对效率、耐用性和紧凑型设计至关重要。
特性
- 栅极驱动电压范围为12V至15V
- 在反激应用中使用时,关断电压为0V
- 漏极和源极之间的大爬电距离和电气间隙
- 高速开关,低电容
- 更高的系统效率和功率密度
- 可为多个12V至48V设备供电,同时散热要求降低
应用
- 辅助电源
- 开关模式电源
- 逆变器
- 基于1500V的系统
- 高压直流/直流转换器
- 电机驱动器
- 脉冲功率应用
发布日期: 2026-09-18
| 更新日期: 2026-09-28

