Wolfspeed 1700V分立碳化硅(SiC)MOSFET

Wolfspeed 1700V分立碳化硅(SiC)MOSFET专为在高压功率转换系统中提供卓越的效率、功率密度和可靠性而设计。通过利用先进的SiC技术,这些MOSFET与传统的基于硅的器件相比,可实现更快的开关速度、更高的工作频率和更低的功率损耗。结果是系统设计更小、更轻、更高效,冷却要求降低,整体系统成本更低。Wolfspeed 1700V器件采用12V至15V栅极驱动操作,电容小,耐压能力高,可在要求苛刻的工业和能源应用中提供强大的性能。

该SiC MOSFET的RDS(on)值低至30mΩ,额定电流高达69A,结温最高可达+175°C,有多种封装选项,因此非常适合高性能电力电子设计。宽爬电距离和间隙距离提高了安全性和可靠性,而高速开关有助于减小电感器、电容器、滤波器和变压器的大小。这些MOSFET非常适合辅助电源、开关电源(SMPS)、电源逆变器、基于1500V的系统、高压DC/DC转换器、电机驱动器和脉冲电源应用,这些应用对效率、耐用性和紧凑型设计至关重要。

特性

  • 栅极驱动电压范围为12V至15V
  • 在反激应用中使用时,关断电压为0V
  • 漏极和源极之间的大爬电距离和电气间隙
  • 高速开关,低电容
  • 更高的系统效率和功率密度
  • 可为多个12V至48V设备供电,同时散热要求降低

应用

  • 辅助电源
  • 开关模式电源
  • 逆变器
  • 基于1500V的系统
  • 高压直流/直流转换器
  • 电机驱动器
  • 脉冲功率应用

应用笔记

  • PRD-06752:分立式SiC MOSFET的PCB布局技术
  • PRD-05652:通孔封装Wolfspeed SiC电源器件的安装建议和热量测量
发布日期: 2026-09-18 | 更新日期: 2026-09-28