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Omron
G3VH SiC MOSFET继电器 - Omron
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Omron G3VH SiC MOSFET继电器
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Omron G3VH SiC MOSFET继电器基于碳化硅 (SiC) MOSFET技术,可实现1000V或更高电压的切换。这些继电器支持高达1800V或3300V的负载电压,同时保持低导通电阻实现高效操作。G3VH继电器采用紧凑型6引脚DIP封装,触点配置为常开(1a/SPST-NO)。这些G3VH SiC MOSFET继电器具有50mA输入正向电流、输入和输出之间具有高达5000V
rms
的高隔离度,以及快速切换性能。典型应用包括需要高压切换的半导体测试设备和电池管理系统 (BMS)。
特性
SiC MOSFET技术
1800V至3300V负载电压
低导通电阻
环境工作温度范围:-40 °C至105 °C
50mA输入正向电流
紧凑型6引脚DIP封装
1a (SPST-NO) 触点形式
应用
半导体测试设备
电池管理系统 (BMS)
绝对最大额定值 (Ta = 25°C)
电气特性 (Ta = 25°C)
封装尺寸
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Omron
发布日期: 2026-06-10 | 更新日期: 2026-10-06