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ON Semiconductor 单N和P通道功率MOSFET
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ON Semiconductor单N和P通道功率MOSFET的占用空间小,可用于紧凑型设计;R
DS(on)
低,将传导损耗降至最低;Q
G
和电容低,将驱动器损耗降至最低。ON Semiconductor单N和P通道功率MOSFET不含铅,适合用于需符合AEC−Q101标准的场地、需变更控制的车用和其他应用。
特性
Small footprint
Low R
DS(on)
Low Q
G
Low capacitance
Lead−free devices
规范
60V
DS
drain-source breakdown voltage
52mΩ R
DS(on)
drain-source resistance
14A continuous drain current
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