IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies
726-IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185C7AUMA1

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:
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库存量: 2,662

库存：
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39 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.0353 ¥28.04
¥18.2834 ¥182.83
¥12.9046 ¥1,290.46
¥11.0853 ¥5,542.65
¥10.0118 ¥10,011.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.8479 ¥26,543.70

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
185 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 40 C
+ 150 C
77 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4 ns
系列: CoolMOS C7
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPL60R185C7 SP001296238
单位重量: 187.650 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Other

Product Catalogs

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。

CoolMOS™ C7功率MOSFET

Infineon CoolMOS™ C7功率MOSFET标志着技术的革命性进步，它实现了低RDS(on)/封装，而且，由于其开关损耗低，故在整个负载范围内提高效率。C7系列优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的硬开关拓扑（如功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压）。该系列器件具有650V击穿电压，因此适合用于需要额外安全裕度的太阳能和开关模式电源 (SMPS) PFC级。这些器件具有全球最低的RDS(on)。采用TO-247封装的导通电阻为19mΩ，采用TO-220和D2PAK封装的导通电阻为45mΩ。借助C7的快速开关性能，客户可以大于100kHz的开关频率运行器件，并可实现服务器PFC级的钛金级效率。

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