BSS138N H6327

Infineon Technologies
726-BSS138NH6327
BSS138N H6327

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 179,769

库存:
179,769
可立即发货
在途量:
162,000
预期 2026/2/23
89,950
57,000
待定
32,950
待定
生产周期:
12
大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于431719的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥2.8137 ¥2.81
¥1.9436 ¥19.44
¥1.2317 ¥123.17
¥0.76049 ¥380.25
¥0.56274 ¥562.74
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥0.38081 ¥1,142.43
¥0.339 ¥3,051.00
¥0.30623 ¥7,349.52
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥2.8137
最小:
1
制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥1.9888
最小:
1

类似产品

Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
230 mA
2.2 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8.2 ns
正向跨导 - 最小值: 100 mS
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3 ns
系列: BSS138
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 6.7 ns
典型接通延迟时间: 2.3 ns
零件号别名: BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
单位重量: 8 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on
Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0222-5

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

小信号功率 MOSFET

英飞凌 小信号功率 MOSFET 提供符合行业标准的 7 种不同封装,从尺寸最大的 SOT-223 到最小的 SOT-363(测量尺寸 2.1mm x 2mm x 0.9mm)。提供单路、双路和补充配置。提供 N 沟道、P 沟道或补充版(在统一封装内包含 N 沟道和 P 沟道),以满足各种设计需求。这些器件的典型应用有电池保护、LED 照明、低压驱动和直流/直流转换器。这些小信号功率 MOSFET 均符合汽车类 AEC Q101 标准。
了解更多