IPW60R024CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R024CFD7XKS
IPW60R024CFD7XKSA1

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:
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库存量: 178

库存：
178
可立即发货
在途量:
240
预期 2026/2/16
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥110.7513 ¥110.75
¥66.5909 ¥1,664.77
¥57.6526 ¥5,765.26
¥57.5735 ¥13,817.64
¥55.6638 ¥26,718.62

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: IPW60R024CFD7
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
零件号别名: IPW60R024CFD7 SP002621050
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

CoolMOS™超级结MOSFET

英飞凌CoolMOS™ 功率晶体管具有快速开关SJ MOSFET的所有优势。与CoolMOS 7代结合使用，英飞凌继续设定价格、性能和质量基准。

CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFET非常适合用于谐振大功率拓扑结构，采用高压超级结MOSFET技术。这些MOSFET内置快速体二极管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS应用包括服务器、电信和电动汽车充电站。

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