ALD110900APAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900APAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900APAL
Price: 83.45 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

585-ALD110900APAL

制造商编号：

ALD110900APAL

制造商：

Advanced Linear Devices

说明：

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

数据表:

ALD110900APAL 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Advanced Linear Devices
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	PDIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	10 V
Id-连续漏极电流:	12 mA
Rds On-漏源导通电阻:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	0 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Depletion
封装:	Tube
商标:	Advanced Linear Devices
配置:	Dual
产品类型:	MOSFETs
系列:	ALD110900A
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	1 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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