AS4C128M8D3LC-12BIN

Alliance Memory
913-4C128M8D3LC12BIN
AS4C128M8D3LC-12BIN

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray

数据表:
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库存量: 376

库存：
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生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于376的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥71.5516 ¥71.55
¥66.5005 ¥665.01
¥64.523 ¥1,613.08
¥62.9523 ¥3,147.62
¥61.4607 ¥6,146.07
¥57.4831 ¥12,071.45
2,520 报价

产品属性 属性值 选择属性
Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
商标: Alliance Memory
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 210
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 72 mA
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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