AS4C8M16MSA-6BINTR

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA6BINT
Price: 80.15 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

913-AS4C8M16MSA6BINT

制造商编号：

AS4C8M16MSA-6BINTR

制造商：

Alliance Memory

说明：

动态随机存取存储器 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT

数据表:

AS4C8M16MSA-6BINTR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Alliance Memory
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM Mobile
存储容量:	128 Mbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	166 MHz
封装 / 箱体:	FBGA-54
组织:	8 M x 16
访问时间:	5.5 ns
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	AS4C8M16MSA-6
封装:	Reel
商标:	Alliance Memory
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	1000
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	50 mA

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数据表

AS4C8M16MSA-6BINTR 数据表 (PDF)

REACH Declaration (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国台湾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.