AS3001316-035nX0PTAY

Name: Avalanche Technology AS3001316-035nX0PTAY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-31316035NX0PTAY
Price: 107.97 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

793-31316035NX0PTAY

制造商编号：

AS3001316-035nX0PTAY

制造商：

Avalanche Technology

说明：

磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

数据表:

AS3001316-035nX0PTAY 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Avalanche Technology AS3001316-035nX0PTAY详情

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 1350 倍数： 135

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥122.0061	¥164,708.24
2,565	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Avalanche Technology
产品种类:	磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:
封装 / 箱体:	TSOP-44
接口类型:	Parallel
存储容量:	1 Mbit
组织:	64 k x 16
数据总线宽度:	16 bit
访问时间:	35 ns
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
工作电源电流:	12 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
系列:	AS3001316
封装:	Tray
商标:	Avalanche Technology
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	MRAM
工厂包装数量:	135
商标名:	STT-MRAM, MRAM

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

AS3001316-035nX0PTAY 数据表 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

并行P-SRAM存储器

Avalanche Technology并行持久性SRAM存储器是磁阻随机存取存储器 (MRAM)，具有1Mb至32Mb密度范围。P-SRAM存储器的工作电压范围为2.7V至3.6V。P-SRAM存储器采用小占位面积54引脚TSOP、44引脚TSOP和48焊球FBGA封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。这些并行持久性SRAM存储器的工作温度范围为-40℃至+85℃（工业）和-40℃至+105℃（工业扩展）。