BIDW20N60T

Bourns
652-BIDW20N60T
BIDW20N60T

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247

ECAD模型:
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库存量: 6,978

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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥22.0802 ¥22.08
¥18.6902 ¥11,214.12
¥13.4018 ¥16,082.16
¥12.9046 ¥69,684.84
25,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
Bourns
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.7 V
- 20 V, 20 V
40 A
192 W
- 55 C
+ 150 C
BID
Tube
商标: Bourns
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Model BID绝缘栅双极晶体管

Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了MOSFET栅极和双极晶体管技术,设计用于高压/大电流应用。该Model BID IGBT采用先进的沟槽栅极场截止技术,可更好地控制动态特性,从而降低集电极-发射极饱和电压、减少开关损耗。该IGBT的工作温度范围为-55°C至+150°C,采用TO-252、TO-247与TO-247N封装。这些高热效率元器件具有较低热阻,使其成为适合开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用的IGBT解决方案。