CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 15.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

551-CE3512K2

制造商编号：

CE3512K2

制造商：

CEL

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥17.8653	¥17.87
	¥11.9893	¥119.89
	¥9.8423	¥984.23
	¥8.5202	¥4,260.10
	¥8.2716	¥41,358.00
	¥8.0682	¥80,682.00

备用包装

制造商零件编号:

CE3512K2-C1

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥13.8086

最小:

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制造商：

CEL

制造商编号：

CE3512K2-C1

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	CEL
产品种类:	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:
晶体管类型:	pHEMT
技术:	GaAs
工作频率:	12 GHz
增益:	13.7 dB
Vds-漏源极击穿电压:	4 V
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 3 V
Id-连续漏极电流:	10 mA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	125 mW
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MICRO-X-4
封装:	Bulk
商标:	CEL
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	54 mS
闸/源截止电压:	- 750 mV
NF—噪声系数:	0.3 dB
产品类型:	RF JFET Transistors
工厂包装数量:	1
子类别:	Transistors
单位重量:	16.473 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.