CDMSJ22013.8-650 SL

Name: Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMSJ220138650SL
Price: 31.92 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

610-CDMSJ220138650SL

制造商编号：

CDMSJ22013.8-650 SL

制造商：

Central Semiconductor

说明：

MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

数据表:

CDMSJ22013.8-650 SL 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Central Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FP-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	13.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	35.7 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Central Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	66 ns
正向跨导 - 最小值:	13 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	69 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	171 ns
典型接通延迟时间:	43 ns

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数据表

CDMSJ22013.8-650 SL 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).