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DMC3025LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC3025LSD-13
Price: 6.66 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMC3025LSD-13

制造商编号：

DMC3025LSD-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

数据表:

DMC3025LSD-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	4.2 A, 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	15 mOhms, 38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V, 2 V
Qg-栅极电荷:	9.8 nC, 10.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	5.8 ns, 12.4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.2 ns, 4.9 ns
系列:	DMC3025
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	16.6 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间:	3.9 ns, 6.8 ns
单位重量:	750 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMC3025LSD-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.