DI115N06PQ

Name: Diotec Semiconductor DI115N06PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI115N06PQ
Price: 14.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

637-DI115N06PQ

制造商编号：

DI115N06PQ

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

MOSFET

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	115 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	78.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	78.9 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	62.1 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	44 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

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库存量: 2,764

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.3737	¥16.37
	¥12.8255	¥128.26
	¥7.6953	¥769.53
	¥7.6162	¥3,808.10
	¥7.3789	¥7,378.90
	¥6.5314	¥16,328.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥6.1359	¥30,679.50
	¥5.2884	¥52,884.00
25,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

DI115N06PQ

制造商： Diotec Semiconductor

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