免费电话: 400-821-6111

TTI Family of Specialists旗下成员联系Mouser (上海) 免费电话: 400-821-6111 反馈

更改位置

中文

¥ RMB

库存量

RoHS

制造商	制造商编号：	数量	总价（含13%增值税）

查看购物车

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

MMBT7002KDW

Name: Diotec Semiconductor MMBT7002KDW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMBT7002KDW
Price: 1.83 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

637-MMBT7002KDW

制造商编号：

MMBT7002KDW

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N

数据表:

MMBT7002KDW 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Diotec Semiconductor MMBT7002KDW详情

库存量: 5,304

库存：: 5,304 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥2.0679	¥2.07
	¥1.2543	¥12.54
	¥0.78535	¥78.54
	¥0.76049	¥380.25
	¥0.68704	¥687.04
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.48816	¥1,464.48
	¥0.28928	¥2,603.52
	¥0.26442	¥6,346.08
	¥0.23165	¥10,424.25

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT363-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	300 mA
Rds On-漏源导通电阻:	3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.1 V
Qg-栅极电荷:	440 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	350 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
系列:	MMBT-MOSFET
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	2.7 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MMBT7002KDW 数据表 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs

Diotec Semiconductor MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs offer ESD-protected gate fast switching times ideal for signal processing, logic level converter, and driver applications. The MMBT7002K features a 60V drain-source voltage, 20V gate-source voltage, and 350mW power dissipation. The devices are available in a SOT-23 package and operate at an -55C to 150C junction temperature. The Diotec MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FETs are compliant with RoHS, REACH, and conflict minerals.