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MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 3.29 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

637-MMFTP6312D

制造商编号：

MMFTP6312D

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

数据表:

MMFTP6312D 数据表 (PDF)

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥3.7177	¥3.72
	¥2.6555	¥26.56
	¥1.8532	¥185.32
	¥1.6159	¥807.95
	¥1.5142	¥1,514.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.11644	¥3,349.32
	¥0.82716	¥7,444.44
	¥0.81021	¥19,445.04
	¥0.62037	¥27,916.65

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-26-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	2.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	4.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	960 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	MMFTN/P
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	8 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

MMFTP6312D 数据表 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.