EPC2014C

EPC
65-EPC2014C
EPC2014C

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

寿命周期:
Mouser 的新产品
ECAD模型:
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库存量: 15,266

库存:
15,266 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.5264 ¥19.53
¥12.4865 ¥124.87
¥8.5202 ¥852.02
¥6.7687 ¥3,384.35
¥6.215 ¥6,215.00
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥5.6048 ¥14,012.00
¥5.0511 ¥25,255.50
¥4.9607 ¥49,607.00

产品属性 属性值 选择属性
EPC
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-5
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
16 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
2 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
商标: EPC
配置: Single
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Power Transistor
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 3.300 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。