|
|
GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
¥55.8333
-
1,758库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1,758库存量
|
|
|
¥55.8333
|
|
|
¥36.5555
|
|
|
¥26.9618
|
|
|
¥23.9899
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥18.4416
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-8080-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
|
|
1.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
- QPD1028
- Qorvo
-
1:
¥12,938.2288
-
11库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1028
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
|
|
11库存量
|
|
|
¥12,938.2288
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
NI-780
|
|
|
65 V
|
19 A
|
|
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
400 W
|
|
|
|
|
|
GaN SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
¥4,452.20
-
307库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
|
|
307库存量
|
|
|
¥4,452.20
|
|
|
¥3,885.1434
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
Screw Mount
|
440223
|
N-Channel
|
|
125 V
|
18 A
|
|
|
- 3.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
|
|
|
1 GHz
|
50 MHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CG2H40045F
- MACOM
-
1:
¥3,865.8656
-
671库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40045F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
671库存量
|
|
|
¥3,865.8656
|
|
|
¥3,262.6716
|
|
|
¥3,244.6142
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
120 V
|
6 A
|
|
|
- 3.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
|
4 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
- GRF0020
- Guerrilla RF
-
1:
¥1,312.5402
-
27库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
459-GRF0020
新产品
|
Guerrilla RF
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
|
|
27库存量
|
|
|
¥1,312.5402
|
|
|
¥1,246.6951
|
|
|
¥1,246.6951
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H050G4WS
- Renesas Electronics
-
1:
¥84.5353
-
598库存量
|
Mouser 零件编号
227-TP65H050G4WS
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
598库存量
|
|
|
¥84.5353
|
|
|
¥51.528
|
|
|
¥46.2396
|
|
|
¥44.0926
|
|
|
¥41.5275
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
34 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
119 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
- CG2H80030D-GP4
- MACOM
-
10:
¥1,050.8209
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H80030D
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
|
|
30库存量
|
|
|
¥1,050.8209
|
|
|
¥1,031.6222
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
120 V
|
3 A
|
410 mOhms
|
|
- 3 V
|
|
|
+ 225 C
|
|
|
|
|
8 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
- TGF3020-SM
- Qorvo
-
1:
¥646.1792
-
40库存量
|
Mouser 零件编号
772-TGF3020-SM
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
|
|
40库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-16
|
|
|
32 V
|
250 mA
|
|
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
|
|
|
6 GHz
|
4 GHz
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
- TGF2023-2-02
- Qorvo
-
100:
¥446.6777
-
100库存量
|
Mouser 零件编号
772-TGF2023-2-02
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
|
|
100库存量
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
|
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18 GHz
|
0 Hz
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
¥816.2329
-
150库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
150库存量
|
|
|
¥816.2329
|
|
|
¥681.7064
|
|
|
¥657.2984
|
|
|
¥657.2984
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
84 V
|
7 A
|
|
|
- 3.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
21.6 W
|
|
|
|
2.7 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
¥1,669.8123
-
123库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123库存量
|
|
|
¥1,669.8123
|
|
|
¥1,660.6932
|
|
|
¥1,132.2939
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-200
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
- T2G6003028-FL
- Qorvo
-
1:
¥2,736.7018
-
44库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6003028-FL
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
|
|
44库存量
|
|
|
¥2,736.7018
|
|
|
¥2,721.7632
|
|
|
¥2,028.689
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-200
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
- TGF3021-SM
- Qorvo
-
1:
¥1,622.567
-
29库存量
|
Mouser 零件编号
772-TGF3021-SM
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
|
|
29库存量
|
|
|
¥1,622.567
|
|
|
¥1,606.5775
|
|
|
¥1,581.5706
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-20
|
|
|
32 V
|
1.8 A
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 GHz
|
30 MHz
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
¥1,134.8025
-
12库存量
-
100预期 2026/10/21
|
Mouser 零件编号
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
12库存量
100预期 2026/10/21
|
|
|
¥1,134.8025
|
|
|
¥1,134.5426
|
|
|
¥798.2546
|
|
|
¥798.2546
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-6
|
|
|
48 V
|
|
|
|
|
|
- 40 C
|
|
|
|
|
|
3.8 GHz
|
1.8 GHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 1-1.5 GHz, 300W, NI-650
- QPD2560L
- Qorvo
-
1:
¥6,775.6495
-
4库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD2560L
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 1-1.5 GHz, 300W, NI-650
|
|
4库存量
|
|
|
¥6,775.6495
|
|
|
¥6,708.6066
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-650
|
|
|
|
33 A
|
|
- 2.8 V
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
285 W
|
|
|
|
1.5 GHz
|
1 GHz
|
GaN, SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-2-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
¥52.8501
-
3,049库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-011-2-LTR
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
3,049库存量
|
|
|
¥52.8501
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥25.4815
|
|
|
¥22.6678
|
|
|
查看
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥20.0123
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
150 mOhms
|
- 10 V, + 7 V
|
1.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
1 MHz
|
0 Hz
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
- QPD1015
- Qorvo
-
1:
¥2,677.0265
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1015
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
4库存量
|
|
|
¥2,677.0265
|
|
|
¥2,676.5067
|
|
|
¥2,527.471
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
NI-360
|
N-Channel
|
|
50 V
|
2.5 A
|
|
|
- 2.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
64 W
|
|
|
|
3.7 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
¥47.7312
-
2,487库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-011-1-L
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,487库存量
|
|
|
¥47.7312
|
|
|
¥24.9843
|
|
|
¥20.4304
|
|
|
¥20.4304
|
|
|
¥18.532
|
|
|
查看
|
|
|
¥18.0348
|
|
|
¥17.3681
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
150 mOhms
|
- 10 V, + 7 V
|
1.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
1 MHz
|
0 Hz
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
- QPD1013
- Qorvo
-
1:
¥2,252.8471
-
3库存量
-
100预期 2026/11/11
|
Mouser 零件编号
772-QPD1013
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
|
|
3库存量
100预期 2026/11/11
|
|
|
¥2,252.8471
|
|
|
¥1,945.3063
|
|
|
¥1,589.2998
|
|
|
¥1,589.2998
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.7 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
- CG2H40010P
- MACOM
-
1:
¥972.0373
-
5库存量
-
120预期 2026/11/6
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40010P
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
|
|
5库存量
120预期 2026/11/6
|
|
|
¥972.0373
|
|
|
¥808.5828
|
|
|
¥793.825
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
¥48.0589
-
2,083库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-011-1-LTR
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,083库存量
|
|
|
¥48.0589
|
|
|
¥33.0864
|
|
|
¥23.6622
|
|
|
¥21.6734
|
|
|
查看
|
|
|
¥18.193
|
|
|
¥19.1874
|
|
|
¥18.193
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
150 mOhms
|
- 10 V, + 7 V
|
1.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
1 MHz
|
0 Hz
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
- T2G6003028-FS
- Qorvo
-
1:
¥6,880.4005
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6003028-FS
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
|
|
15库存量
|
|
|
¥6,880.4005
|
|
|
¥6,812.318
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-200
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,785.1559
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
|
¥9,785.1559
|
|
|
¥9,785.1559
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
N-Channel
|
|
150 V
|
10 A
|
|
|
- 3 V
|
|
|
|
|
|
|
|
1.4 GHz
|
1.2 GHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
¥82.3883
-
374库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT070R70HTO
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
374库存量
|
|
|
¥82.3883
|
|
|
¥45.4147
|
|
|
¥42.4315
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥34.578
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
|
|
|
700 V
|
26 A
|
70 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
231 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥56.6582
-
728库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT080R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
728库存量
|
|
|
¥56.6582
|
|
|
¥30.1936
|
|
|
¥27.6285
|
|
|
¥25.8883
|
|
|
¥23.8204
|
|
|
¥21.0971
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
29 A
|
80 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
6.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
188 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
GaN
|
|
