EPC2106

Name: EPC EPC2106
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2106
Price: 21.37 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

65-EPC2106

制造商编号：

EPC2106

制造商：

EPC

说明：

GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	EPC
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	730 pC, 730 pC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
商标名:	eGaN FET
技术:	GaN
商标:	EPC
配置:	Dual
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Power Transistor
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
单位重量:	3 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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	¥8.3507	¥8,350.70
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	¥6.7913	¥33,956.50
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EPC2106

制造商： EPC

说明： GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

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