GS8128418B-200IV

GSI Technology
464-GS8128418B-200IV
GS8128418B-200IV

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M

数据表:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥2,465.434 ¥24,654.34
¥2,441.7718 ¥73,253.15

产品属性 属性值 选择属性
GSI Technology
产品种类: 静态随机存取存储器
144 Mbit
8 M x 18
7.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
360 mA, 435 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-119
Tray
商标: GSI Technology
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: GS8128418B
工厂包装数量: 10
子类别: Memory & Data Storage
商标名: SyncBurst
类型: NBT Pipeline/Flow Through
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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