GS8161E18DGD-250IV

Name: GSI Technology GS8161E18DGD-250IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-8161E18DGD250IV
Price: 358.97 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

464-8161E18DGD250IV

制造商编号：

GS8161E18DGD-250IV

制造商：

GSI Technology

说明：

静态随机存取存储器 1.8/2.5V 1M x 18 18M

数据表:

GS8161E18DGD-250IV 数据表 (PDF)

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	¥392.5733	¥3,925.73
	¥347.9835	¥6,263.70
	¥332.6042	¥35,921.25
	¥324.084	¥81,669.17
504	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	GSI Technology
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	18 Mbit
组织:	1 M x 18
访问时间:	5.5 ns
最大时钟频率:	250 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	2.7 V
电源电压-最小:	1.7 V
电源电流—最大值:	225 mA, 245 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-165
封装:	Tray
商标:	GSI Technology
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	GS8161E18DGD
工厂包装数量:	18
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	SyncBurst
类型:	DCD Pipeline/Flow Through

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SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.