GS8161E18DGT-250I

GSI Technology
464-GS8161E18DGT250I
GS8161E18DGT-250I

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
GSI Technology
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
230 mA, 250 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
商标: GSI Technology
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: GS8161E18DGT
工厂包装数量: 36
子类别: Memory & Data Storage
商标名: SyncBurst
类型: DCD Pipeline/Flow Through
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥223.6609 ¥223.66
¥207.2081 ¥2,072.08
¥200.6654 ¥5,016.64
¥179.2406 ¥6,452.66
¥175.1048 ¥18,911.32
¥169.2401 ¥42,648.51
¥162.3697 ¥81,834.33
1,008 报价