GS8320Z18AGT-250I

GSI Technology
464-GS8320Z18AGT250I
GS8320Z18AGT-250I

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M

数据表:
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供货情况

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¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥451.3785 ¥451.38
¥325.2366 ¥3,252.37
¥325.1575 ¥5,852.84

产品属性 属性值 选择属性
GSI Technology
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
36 Mbit
2 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
235 mA, 275 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
商标: GSI Technology
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: GS8320Z18AGT
工厂包装数量: 18
子类别: Memory & Data Storage
商标名: NBT SRAM
类型: NBT Pipeline/Flow Through
单位重量: 6.811 g
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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