IS43DR16320D-25DBLI-TR

Name: ISSI IS43DR16320D-25DBLI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-43DR1620D25DBLIT
Price: 51.83 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

870-43DR1620D25DBLIT

制造商编号：

IS43DR16320D-25DBLI-TR

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R

数据表:

IS43DR16320D-25DBLI-TR 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR2
存储容量:	512 Mbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	400 MHz
封装 / 箱体:	BGA-84
组织:	32 M x 16
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.9 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	IS43DR16320D
封装:	Reel
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	2500
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	90 mA

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合规代码

CNHTS:: 8542320000
USHTS:: 8542320028
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR2 SDRAM

ISSI DDR2 SDRAM uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double-data-rate architecture is essentially a 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. ISSI DDR2 SDRAM has on-die termination (ODT) and programmable burst lengths of 4 or 8. The on-chip DLL aligns DQ and DQs transitions with CK transitions.