IS66WVS4M8BLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVS4M8BLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-ISS4M8BLL-104NLI
Price: 35.14 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-ISS4M8BLL-104NLI

制造商编号：

IS66WVS4M8BLL-104NLI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

数据表:

IS66WVS4M8BLL-104NLI 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	32 Mbit
组织:	4 M x 8
访问时间:	7 ns
最大时钟频率:	104 MHz
接口类型:	SPI
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.7 V
电源电流—最大值:	15 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
封装:	Tube
商标:	ISSI
存储类型:	PSRAM
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
工厂包装数量:	100
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

串行RAM器件

ISSI串行RAM器件包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。对于8Mb、16Mb和32Mb，这些阵列的结构分别为1M字 x 8位、2M x 8位和4M x 8位。这些串行RAM器件支持串行外围接口 (SPI) 和四路外围接口 (QPI) 协议，以及较小的信号引脚数。这些器件还支持隐藏式刷新操作，以及工业温度和汽车A2级温度。ISSI串行RAM器件支持带内复位，而不必使用专门的RESET#引脚，传输的最小数据量为8bit。